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虽然在32nm、28nm工艺上都不怎么顺利，20nm也尚未投产，GlobalFoundries今天又宣布了更加未来化的“14nm-XM”，将半导体工艺推进到14nm阶段，并首次引入三维的FinFET晶体管。Intel 22nm 3-D晶体管就与之有异曲同工之妙。 该技术主要面向下一代移动设备，其中XM就代表着“eXtreme Mobility”(极致移动)，是一套真正为移动SoC芯片完全优化的非平面架构，号称对比20nm两维平面晶体管技术同等性能前提下可以带来40-60％的电池续航时间改进，同等电压可带来20-55％的性能提升。 GF 14nm-XM是一套模块化的工艺架构，融合了14nm FinFET、20nm-LPM，其中后者即将投产，借助它的成熟性可以实现向FinFET技术的快速、平滑迁移。 14nm-XM目前还处于研发阶段，纽约州新建的Fab 8晶圆厂内正在进行硅测试，并提供初期的流程设计工具包(PDK)，预计2013年初完成客户方案的流片，2014年批量投产。如果20nm工艺能在明年实现投产，那么这次过渡将成为GF历史上最快的一次，仅仅一年就迈过一个时代。 伊朗明年推国内互联网  iPhone 5叫价超8000元 |
